我国8英寸硅基氮化镓MicroLED混合集成工艺获突破

近日，西湖烟山科技(杭州)有限公司(以下简称“烟山科技”)在8英寸平台上成功突破了硅基氮化镓与CMOS驱动的Hybrid Bonding微互连工艺，这一技术创新成果开拓了MicroLED与驱动集成的新路径，为进一步推进MicroLED AR产业化奠定了坚实基础。

MicroLED被誉为继LCD与OLED之后的第三代显示技术,以高亮度、长寿命、低功耗等独特优势受到全球产业界的高度关注。MicroLED应用在微显示领域，相较于Micro-OLED在亮度、功耗、可靠性方面有非常明显优势,可匹配光波导组成紧凑光机系统，是消费级AR眼镜光学系统最优方案。然而，如何在硅基CMOS驱动上实现高效和高精度互连，一直是制约其走向量产的技术瓶颈。

对此，烟山科技持续加大科技创新力度，率先在8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)平台上完成了混合集成(Hybrid Bonding)工艺的全流程打通，并成功点亮了大尺寸MicroLED面板。与传统工艺相比，新一代混合集成工艺展现出更高良率与更优光效，标志着MicroLED大规模产业化迎来关键转折点。

与传统键合集成工艺相比，Hybrid Bonding为整个行业带来了三个“显著提升”:光提取效率显著提升、加工良率显著提升、分辨率显著提升。测试数据显示，烟山科技的MicroLED面板整体点亮良率显著提升，死点率大幅下降，光电性能稳定可靠。更高的光效意味着同等功耗下的亮度提升，而均匀的发光一致性则为高分辨率显示奠定了基础。

对整个显示产业而言，烟山科技率先打通的8英寸硅基MicroLED Hybrid Bonding工艺，将推动MicroLED加速走向量产阶段。高良率和高光效的实现，将使其在消费级AR眼镜、微投影、光通信等领域展现出强大的竞争优势。

“从混合集成,再到高良率面板的成功点亮，我们验证了一条行之有效的产业化路径。”烟山科技董事长孔玮博士表示,“未来我们将继续加大研发投入,大力发展新质生产力，加快MicroLED在更多应用场景中的落地，为全球用户带来更高品质的顶尖产品。”